固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-10-05 07:55:58 阅读（143）
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于创建自定义 SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。
供暖、两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以及工业和军事应用。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。
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